RUC002N05T116规格参数_ruc002n05t116现货热销【斯普仑】

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RUC002N05T116

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SST3

4326 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RUC002N05T116，现有足量库存。RUC002N05T116的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供RUC002N05T116数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RUC002N05T116的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

RUC002N05T116产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RUC002N05T116
描述	MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
制造商	Rohm Semiconductor
库存	4326
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	25 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	200mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SST3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3