DMN65D8LFB-7B规格参数_dmn65d8lfb-7b现货热销【斯普仑】

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DMN65D8LFB-7B

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：3-UFDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

6531 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN65D8LFB-7B，现有足量库存。DMN65D8LFB-7B的封装/规格参数为:3-UFDFN；同时斯普仑现货为您提供DMN65D8LFB-7B数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN65D8LFB-7B的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMN65D8LFB-7B产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMN65D8LFB-7B
描述	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	6531
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	260mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	25 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	430mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	X1-DFN1006-3
封装/外壳	3-UFDFN