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2N7002ET1G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

4445 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的2N7002ET1G，现有足量库存。2N7002ET1G的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供2N7002ET1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2N7002ET1G的详细使用方法及教程。

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2N7002ET1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 2N7002ET1G
描述 MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
制造商 onsemi
库存 4445
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 260mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.81 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 26.7 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300mW（Tj）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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