SSM3K35CTC,L3F规格参数_ssm3k35ctc,l3f现货热销【斯普仑】

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SSM3K35CTC,L3F

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：SC-101，SOT-883

描述：MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C

5177 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM3K35CTC,L3F，现有足量库存。SSM3K35CTC,L3F的封装/规格参数为:SC-101，SOT-883；同时斯普仑现货为您提供SSM3K35CTC,L3F数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM3K35CTC,L3F的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SSM3K35CTC,L3F产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SSM3K35CTC,L3F
描述	MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	5177
系列	U-MOSIII
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	250mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	0.34 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	36 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	CST3C
封装/外壳	SC-101，SOT-883