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EPC2010C

制造商:EPC

封装外壳:模具

描述:GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

2608 现货

斯普仑电子元件现货为您提供EPC设计生产的EPC2010C,现有足量库存。EPC2010C的封装/规格参数为:模具;同时斯普仑现货为您提供EPC2010C数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有EPC2010C的详细使用方法及教程。

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EPC2010C产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 EPC2010C
描述 GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
制造商 EPC
库存 2608
系列 eGaN®
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 22A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 12A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.3 nC @ 5 V
Vgs(最大值) +6V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 540 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 模具剖面(7 焊条)
封装/外壳 模具

为智能时代加速到来而付出“真芯”