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作者:斯普仑/ 2023-10-18
技术参数品牌：ST型号：VNLD5090TR-E封装：SOP8批次：21+数量：2500制造商：STMicroelectronics产品种类：门驱动器RoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：SO-8激励器数量：1 Driver输出端数量：2 Output输出电流：18 A上升时间：10 us下降时间：2.7...
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作者:斯普仑/ 2023-10-12
技术参数品牌：ON 安森美型号：FQD2N80TM封装：TO252批号：20+数量：10000类别：分立半导体产品 单 FET，MOSFET制造商：onsemi系列：QFET®Product Status：停产FET 类型：N 通道漏源电压（Vdss）：800 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A（Tc）...
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作者:斯普仑/ 2023-10-12
技术参数品牌：STM型号：STD4NK60ZT4封装：TO-252-3 (DPAK)批号：21+/22+数量：20000类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商：STMicroelectronics系列：SuperMESH™FET 类型：N 通道漏源电压（Vdss）：600 V25C 时电...
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作者:斯普仑/ 2023-10-12
技术参数品牌：Infineon 英飞凌型号：2ED020I12-FI批号：21+数量：12000制造商：Infineon产品种类：门驱动器RoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：PG-DSO-18激励器数量：2 Driver输出端数量：2 Output输出电流：1 A配置：Inverting, Non-In...
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作者:斯普仑/ 2023-10-12
技术参数品牌：Infineon 英飞凌型号：IPD35N10S3L-26批号：21+数量：12000制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：PG-TO-252-3通道数量：1 Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：100 VId-连...
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作者:斯普仑/ 2023-10-12
技术参数品牌：ON型号：FDN340P封装：SOT23-3L批次：21+数量：30320制造商：ON Semiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：SSOT-3通道数量：1 Channel晶体管极性：P-ChannelVds-漏源极击穿电压：20 VId-连续漏极电...
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作者:斯普仑/ 2023-10-09
技术参数品牌：ATMEL型号：ATMEGA16A-AU封装：13.5批次：QFP数量：2500制造商：Microchip产品种类：8位微控制器 -MCURoHS：是安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：TQFP-44系列：ATmega16A核心：AVR数据总线宽度：8 bit最大时钟频率：16 MHz程序存储器大小：...
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作者:斯普仑/ 2023-10-09
技术参数品牌：MICROCHIP型号：PIC12F629-I/SN封装：SOP8批号：17+数量：30000类别：集成电路（IC） 嵌入式 - 微控制器制造商：Microchip Technology系列：PIC® 12F核心处理器：PIC内核规格：8 位速度：20MHz外设：POR，WDTI/O 数：5程序存储容量：...
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