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| 品牌： | Infineon 英飞凌 |
| 型号： | IPD35N10S3L-26 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 12000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PG-TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 35 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 24 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 30 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 71 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 系列： | OptiMOS-T |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 下降时间： | 3 ns |
| 上升时间： | 4 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 18 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6 ns |
| 零件号别名： | IPD35N10S3L26ATMA1 SP000386184 IPD35N1S3L26XT IPD35N10S3L26ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
特征
•N通道-增强模式
•汽车AEC Q101合格
•MSL1最高260°C峰值回流
•175°C工作温度
•绿色产品（符合RoHS）
•100%雪崩测试
