欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

BS2130F-GE2

制造商:Rohm Semiconductor

封装外壳:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

描述:600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE

2162 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的BS2130F-GE2,现有足量库存。BS2130F-GE2的封装/规格参数为:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽);同时斯普仑现货为您提供BS2130F-GE2数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BS2130F-GE2的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的BS2130F-GE2,现有足量库存。BS2130F-GE2的封装/规格参数为:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽);同时斯普仑现货为您提供BS2130F-GE2数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BS2130F-GE2的详细使用方法及教程。

BS2130F-GE2产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 BS2130F-GE2
描述 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
制造商 Rohm Semiconductor
库存 2162
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
输出配置 半桥(3)
应用 通用
接口 逻辑
负载类型 电感,电容性
技术 功率 MOSFET,IGBT
导通电阻(典型值) -
电流 - 输出/通道 350mA
电流 - 峰值输出 -
电压 - 供电 11.5V ~ 20V
电压 - 负载 600V(最大)
工作温度 -40°C ~ 125°C(TA)
特性 自举电路
故障保护 限流,UVLO
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装 28-SOP

为智能时代加速到来而付出“真芯”