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R2J20602NP#G3

制造商:Renesas Electronics America Inc

封装外壳:56-VFQFN 裸露焊盘

描述:IC MOSFET DRVR 12V 40A 56-QFN

2163 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的R2J20602NP#G3,现有足量库存。R2J20602NP#G3的封装/规格参数为:56-VFQFN 裸露焊盘;同时斯普仑现货为您提供R2J20602NP#G3数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有R2J20602NP#G3的详细使用方法及教程。

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R2J20602NP#G3产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 R2J20602NP#G3
描述 IC MOSFET DRVR 12V 40A 56-QFN
制造商 Renesas Electronics America Inc
库存 2163
包装 剪切带(CT)
输出配置 半桥
应用 降压转换器
接口 PWM
负载类型 电感
技术 DrMOS
导通电阻(典型值) -
电流 - 输出/通道 -
电流 - 峰值输出 40A
电压 - 供电 7V ~ 7.8V
电压 - 负载 7V ~ 7.8V
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
特性 状态标志
故障保护 限流,超温,短路,UVLO
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 56-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装 56-HVQFN(8x8)

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