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制造商：Global Power Technology Co. Ltd
封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI
斯普仑电子元件现货为您提供Global Power Technology Co. Ltd设计生产的G5S06510DT，现有足量库存。G5S06510DT的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供G5S06510DT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G5S06510DT的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Global Power Technology Co. Ltd设计生产的G5S06510DT，现有足量库存。G5S06510DT的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供G5S06510DT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G5S06510DT的详细使用方法及教程。
| G5S06510DT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | G5S06510DT |
| 描述 | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI |
| 制造商 | Global Power Technology Co. Ltd |
| 库存 | 3216 |
| 系列 | - |
| 包装 | 散装 |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 650 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 38A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.5 V @ 10 A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 650 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 645pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
