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1N5400G

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳:DO-201AD,轴向

描述:DIODE GEN PURP 3A 50V DO-201AD

2834 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的1N5400G,现有足量库存。1N5400G的封装/规格参数为:DO-201AD,轴向;同时斯普仑现货为您提供1N5400G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有1N5400G的详细使用方法及教程。

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1N5400G产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 1N5400G
描述 DIODE GEN PURP 3A 50V DO-201AD
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
库存 2834
系列 -
包装 卷带(TR)
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 50 V
电流 - 平均整流 (Io) 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 3 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 50 V
不同 Vr、F 时电容 25pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-201AD,轴向
供应商器件封装 DO-201AD
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”