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HER302G

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳:DO-201AD,轴向

描述:DIODE GEN PURP 3A 100V DO-201AD

14417 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的HER302G,现有足量库存。HER302G的封装/规格参数为:DO-201AD,轴向;同时斯普仑现货为您提供HER302G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有HER302G的详细使用方法及教程。

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HER302G产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 HER302G
描述 DIODE GEN PURP 3A 100V DO-201AD
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
库存 14417
系列 -
包装 卷带(TR)
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 100 V
电流 - 平均整流 (Io) 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1 V @ 3 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 10 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容 60pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-201AD,轴向
供应商器件封装 DO-201AD
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”