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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的UGB5JT-E3/81，现有足量库存。UGB5JT-E3/81的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供UGB5JT-E3/81数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有UGB5JT-E3/81的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的UGB5JT-E3/81，现有足量库存。UGB5JT-E3/81的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供UGB5JT-E3/81数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有UGB5JT-E3/81的详细使用方法及教程。
| UGB5JT-E3/81产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | UGB5JT-E3/81 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 42696 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 5A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.75 V @ 5 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 50 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 30 µA @ 600 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263AB（D²PAK） |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
