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制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的1SS307(TE85L,F)，现有足量库存。1SS307(TE85L,F)的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供1SS307(TE85L,F)数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有1SS307(TE85L,F)的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的1SS307(TE85L,F)，现有足量库存。1SS307(TE85L,F)的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供1SS307(TE85L,F)数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有1SS307(TE85L,F)的详细使用方法及教程。
| 1SS307(TE85L,F)产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | 1SS307(TE85L,F) |
| 描述 | DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 35470 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.3 V @ 100 mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10 µA @ 30 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 6pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | S-Mini |
| 工作温度 - 结 | 125°C（最大） |
