RFN1LAM6STR单二极管_rfn1lam6str原装正品【斯普仑】

400-900-8690

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：SOD-128

描述：DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

18220 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RFN1LAM6STR，现有足量库存。RFN1LAM6STR的封装/规格参数为:SOD-128；同时斯普仑现货为您提供RFN1LAM6STR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RFN1LAM6STR的详细使用方法及教程。

RFN1LAM6STR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RFN1LAM6STR
描述	DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
制造商	Rohm Semiconductor
库存	18220
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
二极管类型	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	600 V
电流 - 平均整流 (Io)	800mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	1.45 V @ 800 mA
速度	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)	35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	1 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容	-
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	SOD-128
供应商器件封装	PMDTM
工作温度 - 结	150°C（最大）