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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：SC-76，SOD-323
描述：DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BAV21WS-G3-08，现有足量库存。BAV21WS-G3-08的封装/规格参数为:SC-76，SOD-323；同时斯普仑现货为您提供BAV21WS-G3-08数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BAV21WS-G3-08的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BAV21WS-G3-08，现有足量库存。BAV21WS-G3-08的封装/规格参数为:SC-76，SOD-323；同时斯普仑现货为您提供BAV21WS-G3-08数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BAV21WS-G3-08的详细使用方法及教程。
| BAV21WS-G3-08产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BAV21WS-G3-08 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 28450 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 250mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25 V @ 200 mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 50 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100 nA @ 200 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 1.5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
