欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149
制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
描述：DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的1N4150TAP，现有足量库存。1N4150TAP的封装/规格参数为:DO-204AH，DO-35，轴向；同时斯普仑现货为您提供1N4150TAP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有1N4150TAP的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的1N4150TAP，现有足量库存。1N4150TAP的封装/规格参数为:DO-204AH，DO-35，轴向；同时斯普仑现货为您提供1N4150TAP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有1N4150TAP的详细使用方法及教程。
| 1N4150TAP产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | 1N4150TAP |
| 描述 | DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 12034 |
| 系列 | - |
| 包装 | 剪切带（CT） , 带盒（TB） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 50 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 150mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1 V @ 200 mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间 (trr) | 4 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100 nA @ 50 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 2.5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商器件封装 | DO-35（DO-204AH） |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
