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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
描述：DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的1N4148-TAP，现有足量库存。1N4148-TAP的封装/规格参数为:DO-204AH，DO-35，轴向；同时斯普仑现货为您提供1N4148-TAP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有1N4148-TAP的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的1N4148-TAP，现有足量库存。1N4148-TAP的封装/规格参数为:DO-204AH，DO-35，轴向；同时斯普仑现货为您提供1N4148-TAP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有1N4148-TAP的详细使用方法及教程。
| 1N4148-TAP产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | 1N4148-TAP |
| 描述 | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 41360 |
| 系列 | - |
| 包装 | 剪切带（CT） , 带盒（TB） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 75 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 300mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1 V @ 10 mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 8 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 25 nA @ 20 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商器件封装 | DO-35（DO-204AH） |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
