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1N5806US

制造商:Microchip Technology

封装外壳:SQ-MELF,A

描述:DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

17321 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的1N5806US,现有足量库存。1N5806US的封装/规格参数为:SQ-MELF,A;同时斯普仑现货为您提供1N5806US数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有1N5806US的详细使用方法及教程。

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1N5806US产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 1N5806US
描述 DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
制造商 Microchip Technology
库存 17321
系列 -
包装 散装
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 150 V
电流 - 平均整流 (Io) 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 875 mV @ 1 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 1 µA @ 150 V
不同 Vr、F 时电容 25pF @ 10V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SQ-MELF,A
供应商器件封装 D-5A
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”