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BYV26E-TR

制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

封装外壳:SOD-57,轴向

描述:DIODE AVALANCHE 1000V 1A SOD57

49798 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BYV26E-TR,现有足量库存。BYV26E-TR的封装/规格参数为:SOD-57,轴向;同时斯普仑现货为您提供BYV26E-TR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BYV26E-TR的详细使用方法及教程。

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BYV26E-TR产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 BYV26E-TR
描述 DIODE AVALANCHE 1000V 1A SOD57
制造商 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 49798
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
二极管类型 雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 1000 V
电流 - 平均整流 (Io) 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 2.5 V @ 1 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 通孔
封装/外壳 SOD-57,轴向
供应商器件封装 SOD-57
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”