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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-213AB，MELF（玻璃）
描述：DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的GL41YHE3_A/I，现有足量库存。GL41YHE3_A/I的封装/规格参数为:DO-213AB，MELF（玻璃）；同时斯普仑现货为您提供GL41YHE3_A/I数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GL41YHE3_A/I的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的GL41YHE3_A/I，现有足量库存。GL41YHE3_A/I的封装/规格参数为:DO-213AB，MELF（玻璃）；同时斯普仑现货为您提供GL41YHE3_A/I数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GL41YHE3_A/I的详细使用方法及教程。
| GL41YHE3_A/I产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | GL41YHE3_A/I |
| 描述 | DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 41170 |
| 系列 | SUPERECTIFIER® |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.2 V @ 1 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10 µA @ 1600 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-213AB，MELF（玻璃） |
| 供应商器件封装 | DO-213AB |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
