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BYG21M-E3/TR

制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

封装外壳:DO-214AC,SMA

描述:DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

29794 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BYG21M-E3/TR,现有足量库存。BYG21M-E3/TR的封装/规格参数为:DO-214AC,SMA;同时斯普仑现货为您提供BYG21M-E3/TR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BYG21M-E3/TR的详细使用方法及教程。

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BYG21M-E3/TR产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 BYG21M-E3/TR
描述 DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
制造商 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 29794
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
二极管类型 雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 1000 V
电流 - 平均整流 (Io) 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.6 V @ 1.5 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 120 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 1 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 DO-214AC,SMA
供应商器件封装 DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”