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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-214AC，SMA
描述：DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BYG23M-E3/TR3，现有足量库存。BYG23M-E3/TR3的封装/规格参数为:DO-214AC，SMA；同时斯普仑现货为您提供BYG23M-E3/TR3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BYG23M-E3/TR3的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BYG23M-E3/TR3，现有足量库存。BYG23M-E3/TR3的封装/规格参数为:DO-214AC，SMA；同时斯普仑现货为您提供BYG23M-E3/TR3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BYG23M-E3/TR3的详细使用方法及教程。
| BYG23M-E3/TR3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BYG23M-E3/TR3 |
| 描述 | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 39394 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 二极管类型 | 雪崩 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1.5A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7 V @ 1 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 75 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 供应商器件封装 | DO-214AC（SMA） |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
