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1N4448HLP-7

制造商:Diodes Incorporated

封装外壳:0402(1006 公制)

描述:DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

17353 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的1N4448HLP-7,现有足量库存。1N4448HLP-7的封装/规格参数为:0402(1006 公制);同时斯普仑现货为您提供1N4448HLP-7数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有1N4448HLP-7的详细使用方法及教程。

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1N4448HLP-7产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 1N4448HLP-7
描述 DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN
制造商 Diodes Incorporated
库存 17353
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 80 V
电流 - 平均整流 (Io) 125mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1 V @ 100 mA
速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr) 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 100 nA @ 80 V
不同 Vr、F 时电容 3pF @ 0.5V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 0402(1006 公制)
供应商器件封装 X1-DFN1006-2
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”