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1SS352,H3F

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳:SC-76A

描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2

21309 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的1SS352,H3F,现有足量库存。1SS352,H3F的封装/规格参数为:SC-76A;同时斯普仑现货为您提供1SS352,H3F数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有1SS352,H3F的详细使用方法及教程。

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1SS352,H3F产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 1SS352,H3F
描述 DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 21309
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 80 V
电流 - 平均整流 (Io) 100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.2 V @ 100 mA
速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr) 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 500 nA @ 80 V
不同 Vr、F 时电容 3pF @ 0V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-76A
供应商器件封装 SC-76-2
工作温度 - 结 125°C(最大)

为智能时代加速到来而付出“真芯”