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| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SQJA20EP-T1_GE3 |
| 封装： | N/A |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 3000 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PowerPAK-SO-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 22.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 50 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 17.6 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 68 W |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Single |
| 系列： | SQ |
| 商标： | Vishay / Siliconix |
| 下降时间： | 12 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 4 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 27 ns |
| 典型接通延迟时间： | 14 ns |
| 单位重量： | 395.463 mg |
特征
•TrenchFET®功率MOSFET
•AEC-Q101合格
•100%Rg和UIS测试
