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FDS8858CZ分立半导体产品晶体管-技术资料

作者 斯普仑 / 2024-03-12 16:58:55

FDS8858CZ.png

技术参数

品牌:ON 安森美
型号:FDS8858CZ
封装:SOP8
批号:22+
数量:15000
类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商:onsemi
系列:PowerTrench®
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A,7.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 8.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1205pF @ 15V
功率 - 最大值:900mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

这些双N和PCharnel增强型功率MOSFET是使用ONSemiconductor的先进PawerTrench工艺生产的,该工艺经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

这些设备非常适合低功耗和电池供电的应用,这些应用需要低输入功率损耗和快速冷却。



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