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作者 斯普仑 / 2024-03-12 16:58:55
品牌: | ON 安森美 |
型号: | FDS8858CZ |
封装: | SOP8 |
批号: | 22+ |
数量: | 15000 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
制造商: | onsemi |
系列: | PowerTrench® |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.6A,7.3A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 17 毫欧 @ 8.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 24nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1205pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 900mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
这些双N和PCharnel增强型功率MOSFET是使用ONSemiconductor的先进PawerTrench工艺生产的,该工艺经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
这些设备非常适合低功耗和电池供电的应用,这些应用需要低输入功率损耗和快速冷却。
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