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| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | NTS4001NT1G |
| 封装： | SOT323 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 60000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SC-70-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 270 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 4 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 800 mV |
| Qg-栅极电荷： | 0.9 ns |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 330 mW (1/3 W) |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.85 mm |
| 长度： | 2.1 mm |
| 系列： | NTS4001N |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 1.24 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 80 mS |
| 下降时间： | 82 ns |
| 上升时间： | 23 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 94 ns |
| 典型接通延迟时间： | 17 ns |
| 单位重量： | 6.200 mg |
特征
•用于快速切换的低栅极电荷
•占地面积小−比TSOP−6小30%
•ESD保护门
•AEC−Q101合格且具备PPAP能力−NVS4001N
•这些设备不含铅，符合RoHS标准
应用
•低侧负载开关
•锂离子电池供电设备-手机、PDA、DSC
•降压转换器
•电平转换超过最大额定值的应力可能会损坏设备。最大限度评级仅为压力评级。高于推荐值的功能操作操作条件并不隐含。长期暴露于高于推荐的操作条件可能会影响设备的可靠性。
1.表面安装在FR4板上，使用1平方英寸的焊盘尺寸（Cu面积=1.127平方英寸[1盎司]，包括迹线）。
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300 s，占空比≤2%。
3.开关特性与工作结温度无关。
