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| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | NVJS4151PT1G |
| 封装： | SC70-6 |
| 批号： | 2019+PB |
| 数量： | 3000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-363-6 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 3.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 55 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 10 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.2 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 12 S |
| 下降时间： | 4.2 us |
| 上升时间： | 1.7 us |
| 典型关闭延迟时间： | 2.7 us |
| 典型接通延迟时间： | 850 ns |
| 单位重量： | 7.500 mg |
特征：
领先的低RDS（ON）沟槽技术，延长电池寿命
SC−88小型外形（2x2 mm），用于最大电路板利用率，与SC−70−6相同
用于ESD保护的栅极二极管
AEC−Q101合格且具备PPAP能力
这些设备不含Pb−、无卤素/BFR，并且符合RoHS顺从的
应用：
高侧负载开关
手机、计算机、数码相机、MP3和PDA
