欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

SQJ409EP-T1_GE3分立半导体产品晶体管-行业资讯

作者 斯普仑 / 2024-01-12 17:22:01

SQJ409EP-T1_GE3.png

技术参数

品牌:VISHAY
型号:SQJ409EP-T1_GE3
封装:PAKSO-8L
批号:21+
数量:21000
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8-4
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:60 A
Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:170 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:68 W
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:TrenchFET
配置:Single
系列:SQ
商标:Vishay Semiconductors
下降时间:12 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:18 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:75 ns
典型接通延迟时间:23 ns
单位重量:506.600 mg
笔记

a.包装有限。

b.脉冲测试;脉冲宽度<300 us,占空比s 2%。

c.当安装在i”方形PCB(FR4材料)上时。

d.对于PowerPAk S0-8L,由于制造过程中的烧结工艺,引线端子的末端是未电镀的暴露铜。无法保证在暴露的铜尖端有一个焊料飞边,也不需要确保底部有足够的焊料互连。e.返工条件:不建议使用烙铁手动焊接无引线部件。


热门类目

为智能时代加速到来而付出“真芯”