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FDD8447L分立半导体产品 晶体管行业资讯

作者 斯普仑 / 2024-01-04 15:21:34

FDD8447L.png

技术参数

品牌:ON 安森美
型号:FDD8447L
封装:TO252
批号:20+
数量:22500
类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商:onsemi
系列:PowerTrench®
FET 类型:N 通道
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.2A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.5 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):52 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1970 pF @ 20 V
功率耗散(最大值):3.1W(Ta),44W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
该NCharnel MOSFET采用FairchildSemicandudlor专有的PowverTrenchet技术生产,以提供低rpslon)和优化的BVoss能力,从而在应用中提供卓越的性能优势。


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