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| 品牌： | ON |
| 型号： | NTJD4401NT1G |
| 封装： | SOT-363 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SC-88-6 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 910 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 375 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 4.5 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 600 mV |
| Qg-栅极电荷： | 1.3 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 0.55 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.9 mm |
| 长度： | 2 mm |
| 系列： | NTJD4401N |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 宽度： | 1.25 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 2 S |
| 下降时间： | 506 ns |
| 上升时间： | 227 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 786 ns |
| 典型接通延迟时间： | 83 ns |
| 单位重量： | 290 mg |
特征
•占地面积小（2 x 2 mm）
•低栅极电荷N−通道器件
•ESD保护门
•与SC−70相同的包装（6导联）
•AEC−Q101合格和PPAP能力−NVJD4401N
•这些设备不含铅，符合RoHS标准
应用
•负载电源切换
•锂离子电池供电设备
•手机、媒体播放器、数码相机、PDA
•直流-直流转换
