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MGSF1N03LT1G电源管理电路-行业资讯

作者 斯普仑 / 2024-01-04 15:15:52

MGSF1N03LT1G.png

技术参数

品牌:ON
型号:MGSF1N03LT1G
封装:SOT-23
批号:22+
数量:10000
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:2.1 A
Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:6 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:0.69 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
高度:0.94 mm
长度:2.9 mm
系列:MGSF1N03L
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:1.3 mm
下降时间:8 ns
上升时间:1 ns
典型关闭延迟时间:16 ns
典型接通延迟时间:2.5 ns
单位重量:8 mg
这些微型表面贴装MOSFET低RpS(on)确保了最小的功率损耗并节约了能量,使这些器件更适合用于空间敏感的电源管理电路。典型应用是便携式和电池供电产品中的直流-直流转换器和电源管理,如计算机、打印机、PCMCIA卡、蜂窝和无绳电话。




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