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FDS6898A高功率和高电流处理-行业资讯

作者 斯普仑 / 2024-01-03 14:28:48

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技术参数

品牌:FAIRCHILD
型号:FDS6898A
封装:SOP8
批号:14+PB
数量:152
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:9.4 A
Rds On-漏源导通电阻:14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:12 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商标名:PowerTrench
高度:1.75 mm
长度:4.9 mm
系列:FDS6898A
晶体管类型:2 N-Channel
类型:MOSFET
宽度:3.9 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:47 S
下降时间:16 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:15 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:34 ns
典型接通延迟时间:10 ns
零件号别名:FDS6898A_NL
单位重量:187 mg

这些N沟道逻辑Lewel MOSFET是通过ONSemiconductor的建议PowerTrench工艺生产的,该工艺经过特别优化,以最大限度地减少导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

这些设备非常适合低电压和电池供电的应用场合,在这些场合需要低的在线功率损耗和快速开关。

特征:

  • 9.4安,20伏RDS(开)=14毫瓦,VGS=4.5伏RDS(开启)=18 mW@VGS=2.5 V

  • 低栅极电荷(典型值为16 nC)

  • 高性能沟槽技术RDS低(打开)

  • 高功率和高电流处理能力



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