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STD16NF06LT4场效应管ST/意法-行业资讯

作者 斯普仑 / 2024-01-03 14:26:44

STD16NF06LT4.png

技术参数

品牌:STM
型号:STD16NF06LT4
封装:TO-252
批号:23+
数量:5000
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:24 A
Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:7.5 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:40 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
高度:2.4 mm
长度:6.6 mm
系列:STD16NF06L
晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
宽度:6.2 mm
正向跨导 - 最小值:12 S
下降时间:6 ns
上升时间:30 ns
典型关闭延迟时间:20 ns
典型接通延迟时间:12 ns
单位重量:4 g
这种功率MOSFET是STM微电子独特的“单功能尺寸”条形工艺的最新发展。结果晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和不太关键的对准步骤,从而提高了显著的制造可生产性



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