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FM25CL64B-GTR非易失性存储器-技术资料

作者 斯普仑 / 2023-12-27 15:40:51

FM25CL64B-GTR.png

技术参数

品牌:CYpress
型号:FM25CL64B-GTR
封装:SOP8
批号:17+
数量:2828
类别:集成电路(IC) 存储器
制造商:Cypress Semiconductor Corp
系列:F-RAM™
存储器类型:非易失
存储器格式:FRAM
存储容量:64Kb(8K x 8)
存储器接口:SPI
时钟频率:20 MHz
电压 - 供电:2.7V ~ 3.65V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

FM25CL64B是采用先进铁电工艺的64Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的,执行与RAM类似的读写操作。它提供了151年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。。

与串行闪存和EEPROM不同,FM25CL64B以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到设备后,数据立即写入内存阵列。下一个总线周期取消,无需数据轮询。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品提供了可观的写入耐久性。FM25CL64B能够支持1014个读/写周期,或比EEPROM多1亿倍的写周期。

这些功能使FM25CL64B成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。示例包括数据采集(其中写入周期的数量可能非常关键),以及要求苛刻的工业控制(其中串行闪存或EEPROM的长写入时间可能会导致数据丢失)。。FM25CL64B为串行EEPROM或闪存的用户提供了实质性的好处,作为替代硬件。FM25CL64使用高速SPi总线,增强了F-RAM技术的高速写入能力。设备规格保证在-40℃至+85℃的工业温度范围内。



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