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| 品牌： | ON |
| 型号： | NTMFS5C604NLT1G |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 1500 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | DFN-5 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 287 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 120 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 200 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1 mm |
| 长度： | 5.9 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.9 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 180 S |
| 下降时间： | 81.3 ns |
| 上升时间： | 79.1 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 57.8 ns |
| 典型接通延迟时间： | 21.8 ns |
| 单位重量： | 112.540 mg |
特征
•占地面积小（5x6 mm），设计紧凑
•低RDS（开启），最大限度地减少传导损耗
•低QG和电容，最大限度地减少驱动器损耗
•这些设备不含铅，符合RoHS标准
1.整个应用环境影响所示的热阻值，它们不是常数，并且仅对所述的特定条件有效。
2.表面安装在FR4板上，使用650平方毫米、2盎司的铜垫。
3.长达1秒的脉冲的最大电流更高，但取决于脉冲持续时间和占空比。
