DS1245Y-100存储器集成电路（IC）-型号参数

400-900-8690

DS1245Y-100存储器集成电路（IC）-型号参数

作者斯普仑 / 2023-12-01 17:21:41

技术参数

品牌：	DALLAS
型号：	DS1245Y-100
封装：	DIP32
批号：	21+
数量：	19750
RoHS：	是
产品种类：	电子元器件
最小工作温度：	-20C
最大工作温度：	90C
最小电源电压：	3V
最大电源电压：	8V
长度：	6.1mm
宽度：	3.1mm
高度：	2.7mm

DS1245 1024k非易失性SRAM是1048576位、完全静态、非易失的SRAM，组织为131072个字乘8位。每个完整的NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路，该电路不断监测VCC的超差情况。当出现这种情况时，锂能源会自动开启，并无条件启用写保护，以防止数据损坏。DIP封装DS1245器件可以用来代替直接符合流行的字节32引脚DIP标准的现有128k x 8静态RAM。PowerCap模块封装中的DS1245设备可直接表面安装，通常与DS9034PC PowerCap配对，形成完整的非易失性SRAM模块。可以执行的写入周期的数量没有限制，微处理器接口也不需要额外的支持电路。