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| 品牌： | Nexperia(安世) |
| 型号： | BUK9Y59-60E,115 |
| 封装： | SOT-669 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 302000 |
| 制造商： | Nexperia |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | LFPAK56-5 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 16.7 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 51 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.7 V |
| Qg-栅极电荷： | 6.1 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 37 W |
| 配置： | Single |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 商标： | Nexperia |
| 下降时间： | 7.3 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 9.9 ns |
| 工厂包装数量： | 1500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 8.6 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6.1 ns |
使用TrenchMOS的LFPAK56（Power SO8）封装中的逻辑电平N沟道MOSFET技术本产品经过设计并符合AEC Q101标准使用在高性能汽车应用中
