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MIC44F19YMME高速单MOSFET驱动器-型号参数

作者 斯普仑 / 2023-08-14 14:36:27

MIC44F19YMME.png

技术参数

品牌:Microchip
型号:MIC44F19YMME
封装:原厂原封
批号:23+
数量:13986
描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)
原厂标准交货期:17 周
详细描述:低端-栅极驱动器-IC-反相-8-MSOP-EP
数据列表:MIC44F18, 19, 20;
标准包装:100
包装:管件
零件状态:有源
类别:集成电路(IC)
产品族:PMIC - 栅极驱动器
系列:-
其它名称:576-1502
驱动配置:低端
通道类型:单路
驱动器数:1
栅极类型:P 沟道 MOSFET
电压 - 供电:4.5V ~ 13.2V
逻辑电压 - VIL,VIH:1.607V,1.615V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A
输入类型:反相
上升/下降时间(典型值):10ns,10ns
工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘
供应商器件封装:8-MSOP-EP
MIC44F18、MIC44F19和MIC44F20是高速单MOSFET驱动器,能够吸收和源6A,用于驱动电容性负载。这些MOSFET驱动器的延迟时间小于15ns,上升到1000pF负载的时间为10ns,非常适合在电源应用中驱动大栅极电荷MOSFET。MIC44F18是非反相驱动器,MIC44F19是适用于驱动P沟道MOSFET的反相驱动器,并且MIC44F20是用于N沟道MOSFETs的反相驱动器。MIC44F18/19/20采用专有的BiCMOS/DMOS工艺制造,具有低功耗和高效率,可将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平,输出电压电平在正极电源或接地的25mV范围内摆动。类似的双极性器件只能摆动到电源的1V以内。MIC44F18/19/20的输入电源电压范围为4.5V至12.6V,使该器件适用于在各种电源应用中驱动MOSFET。其他功能包括启用功能、闩锁保护和可编程UVLO功能。MIC44F18/19/20的结温范围为-40°C至+125°C,带外露焊盘ePAD MSOP-8和2 mm x 2 mm DFN-8封装选项

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