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AP7340-185FS4-7存储器集成电路(IC)-型号参数

作者 斯普仑 / 2023-08-04 14:49:18

71V67703S75PFG.png

技术参数

品牌:IDT
型号:71V67703S75PFG8
封装:stock
批号:21+
数量:38000
制造商:Renesas Electronics
产品种类:静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:9 Mbit
访问时间:7.5 ns
最大时钟频率:117 MHz
接口类型:Parallel
电源电压-最大:3.465 V
电源电压-最小:3.135 V
电源电流—最大值:265 mA
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+ 70 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TQFP-100
高度:1.4 mm
长度:20 mm
存储类型:SDR
系列:71V67703S75
宽度:14 mm
湿度敏感性:Yes
零件号别名:IDT71V67703S75PFG8 71V67703
单位重量:657 mg
IDT71V67703/7903是高速SRAM,其组织形式为256K x 36/512K x 18。IDT71V67703/7903 SRAM包含写入、数据、地址和控制寄存器。数据输出路径中没有寄存器(流通式体系结构)。内部逻辑允许SRAM基于可以保留到写入周期结束的决定来生成自定时写入。突发模式功能为系统设计者提供了最高级别的性能,因为IDT71V67703/7903可以为呈现给SRAM的单个地址提供四个周期的数据。内部突发地址计数器接受来自处理器的第一个周期地址,启动访问序列。在从同一周期的上升时钟沿开始的时钟到数据访问时间延迟之后,输出数据的第一周期将从阵列流过。如果选择了突发模式操作(ADV=LOW),则在接下来的三个上升时钟沿上,用户将可以获得随后的三个周期的输出数据。这三个地址的顺序由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。IDT71V67703/7903 SRAM采用高性能CMOS工艺,封装在JEDEC标准的14mm x 20mm薄塑料四元扁平封装(TQFP)、119球栅阵列(BGA)和165细间距球栅阵列。


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