欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Microchip Technology
封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：12.0A SINGLE INVERTING MOSFET DR
斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的MCP14A1201T-E/SNVAO，现有足量库存。MCP14A1201T-E/SNVAO的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供MCP14A1201T-E/SNVAO数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MCP14A1201T-E/SNVAO的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的MCP14A1201T-E/SNVAO，现有足量库存。MCP14A1201T-E/SNVAO的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供MCP14A1201T-E/SNVAO数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MCP14A1201T-E/SNVAO的详细使用方法及教程。
| MCP14A1201T-E/SNVAO产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | MCP14A1201T-E/SNVAO |
| 描述 | 12.0A SINGLE INVERTING MOSFET DR |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 库存 | 8830 |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 驱动配置 | 低端 |
| 通道类型 | 同步 |
| 驱动器数 | 1 |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 4.5V ~ 18V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.8V，2V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 12A，12A |
| 输入类型 | 反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | - |
| 上升/下降时间（典型值） | 25ns，25ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
