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DGD2012S8-13

制造商:Diodes Incorporated

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K

4860 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DGD2012S8-13,现有足量库存。DGD2012S8-13的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供DGD2012S8-13数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有DGD2012S8-13的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DGD2012S8-13,现有足量库存。DGD2012S8-13的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供DGD2012S8-13数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有DGD2012S8-13的详细使用方法及教程。

DGD2012S8-13产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 DGD2012S8-13
描述 IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
制造商 Diodes Incorporated
库存 4860
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH 0.8V,2.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1.9A,2.3A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 200 V
上升/下降时间(典型值) 40ns,20ns
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO

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