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1EDN8511BXTSA1

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:SOT-23-6

描述:IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6

8144 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的1EDN8511BXTSA1,现有足量库存。1EDN8511BXTSA1的封装/规格参数为:SOT-23-6;同时斯普仑现货为您提供1EDN8511BXTSA1数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有1EDN8511BXTSA1的详细使用方法及教程。

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1EDN8511BXTSA1产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 1EDN8511BXTSA1
描述 IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6
制造商 Infineon Technologies
库存 8144
包装 卷带(TR)
驱动配置 半桥,低压侧
通道类型 单路
驱动器数 1
栅极类型 N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH 1.2V,1.9V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 4A,8A
输入类型 反相,非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) -
上升/下降时间(典型值) 6.5ns,4.5ns
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6
供应商器件封装 PG-SOT23-6-2

为智能时代加速到来而付出“真芯”