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AUIRS20162STR

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

1170 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的AUIRS20162STR,现有足量库存。AUIRS20162STR的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供AUIRS20162STR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有AUIRS20162STR的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的AUIRS20162STR,现有足量库存。AUIRS20162STR的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供AUIRS20162STR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有AUIRS20162STR的详细使用方法及教程。

AUIRS20162STR产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 AUIRS20162STR
描述 IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
库存 1170
包装 卷带(TR)
驱动配置 高端
通道类型 单路
驱动器数 1
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 4.4V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH -
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 250mA,250mA
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 150 V
上升/下降时间(典型值) 200ns,200ns
工作温度 -55°C ~ 155°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC

为智能时代加速到来而付出“真芯”