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AUIRS2012STR

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

8317 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的AUIRS2012STR,现有足量库存。AUIRS2012STR的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供AUIRS2012STR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有AUIRS2012STR的详细使用方法及教程。

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AUIRS2012STR产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 AUIRS2012STR
描述 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
库存 8317
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH 0.7V,2.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 2A,2A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 200 V
上升/下降时间(典型值) 22ns,15ns
工作温度 -40°C ~ 125°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 PG-DSO-8

为智能时代加速到来而付出“真芯”