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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的2EDN8523RXUMA1，现有足量库存。2EDN8523RXUMA1的封装/规格参数为:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供2EDN8523RXUMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2EDN8523RXUMA1的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的2EDN8523RXUMA1，现有足量库存。2EDN8523RXUMA1的封装/规格参数为:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供2EDN8523RXUMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2EDN8523RXUMA1的详细使用方法及教程。
| 2EDN8523RXUMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | 2EDN8523RXUMA1 |
| 描述 | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 3180 |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 驱动配置 | 低端 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 4.5V ~ 20V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 1.2V，1.9V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 5A，5A |
| 输入类型 | 反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | - |
| 上升/下降时间（典型值） | 5.3ns，4.5ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商器件封装 | PG-TSSOP-8 |
