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BS2103F-E2

制造商:Rohm Semiconductor

封装外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP

1773 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的BS2103F-E2,现有足量库存。BS2103F-E2的封装/规格参数为:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽);同时斯普仑现货为您提供BS2103F-E2数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BS2103F-E2的详细使用方法及教程。

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BS2103F-E2产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 BS2103F-E2
描述 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
制造商 Rohm Semiconductor
库存 1773
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 10V ~ 18V
逻辑电压 - VIL,VIH 1V,2.6V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 60mA,130mA
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 600 V
上升/下降时间(典型值) 200ns,100ns
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装 8-SOP

为智能时代加速到来而付出“真芯”