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SIP41109DY-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

9786 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIP41109DY-T1-E3,现有足量库存。SIP41109DY-T1-E3的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供SIP41109DY-T1-E3数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SIP41109DY-T1-E3的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIP41109DY-T1-E3,现有足量库存。SIP41109DY-T1-E3的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供SIP41109DY-T1-E3数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SIP41109DY-T1-E3的详细使用方法及教程。

SIP41109DY-T1-E3产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SIP41109DY-T1-E3
描述 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
制造商 Vishay Siliconix
库存 9786
包装 卷带(TR)
驱动配置 半桥
通道类型 同步
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 10.8V ~ 13.2V
逻辑电压 - VIL,VIH 1V,4V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 800mA,1A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 48 V
上升/下降时间(典型值) 45ns,35ns
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC

为智能时代加速到来而付出“真芯”