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制造商：IXYS Integrated Circuits Division
封装外壳：TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
斯普仑电子元件现货为您提供IXYS Integrated Circuits Division设计生产的IXDD614D2TR，现有足量库存。IXDD614D2TR的封装/规格参数为:TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA；同时斯普仑现货为您提供IXDD614D2TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXDD614D2TR的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供IXYS Integrated Circuits Division设计生产的IXDD614D2TR，现有足量库存。IXDD614D2TR的封装/规格参数为:TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA；同时斯普仑现货为您提供IXDD614D2TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXDD614D2TR的详细使用方法及教程。
| IXDD614D2TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IXDD614D2TR |
| 描述 | IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263 |
| 制造商 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 库存 | 5888 |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 驱动配置 | 低端 |
| 通道类型 | 单路 |
| 驱动器数 | 1 |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 4.5V ~ 35V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.8V，3V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 14A，14A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | - |
| 上升/下降时间（典型值） | 25ns，18ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA |
| 供应商器件封装 | TO-263（D²Pak） |
